Name: onsemi FDI33N25TU
Brand: onsemi
SKU: FDI33N25TU
Availability: InStock
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onsemi FDI33N25TU

Artikelnummer:

FDI33N25TU

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK

Datenblätte:

1.FDI33N25TU.pdf ···: 2D -Zeichnungen
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RoHs Status:

Lead free / RoHs compliant

ECAD -Modell:

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~onsemi FDI33N25TU Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDI33N25TU.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	I2PAK (TO-262)
Serie	UniFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	94mOhm @ 16.5A, 10V
Verlustleistung (max)	235W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2135 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	33A (Tc)
Grundproduktnummer	FDI33
FDI33N25TU Einzelheiten PDF [English]	FDI33N25TU PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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